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本文件规定了采用电子背散射衍射（electron backscatter diffraction，EBSD）法测量钢中奥氏体体积分数和形态的方法、设备、取样和试样制备、测量步骤、数据处理和检验报告。
本文件适用于分析含有晶粒尺寸50 nm以上奥氏体的中、低碳钢及中、低碳合金钢。
本文件不适用于分析晶粒尺寸小于50 nm的奥氏体，奥氏体晶粒尺寸小于50 nm会严重影响定量分析结果的准确性。
注： 晶粒尺寸下限是可观察到的最小奥氏体晶粒尺寸。晶粒尺寸下限取决于设备条件和操作参数。
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本文件界定了电子探针显微分析（EPMA)实践中使用的术语，包括一般概念的术语和按仪器、分析方法分类的特定概念的术语。本文件适用于相关领域(SEM、AEM、EDX等)的所有标准和实践文件中通用术语的定义。
本文件提供了仪器操作者对固体材料表面进行紫外光电子能谱分析的指导，包括样品处理、谱仪校准和设定、谱图采集以及最终报告。 本文件适用于配备有真空紫外光源的X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。
本文件界定了在AEM实践中所用的术语。包含一般概念和特定概念的术语，按照系统顺序中各自的层次分类。
本文件适用于所有和 AEM 实践相关的标准化文件。此外，本文件的某些部分适用于相关领域（如 TEM, STEM, SEM, EPMA, EDX)通用术语的定义。
本文件规定了化学品固液鉴别流动性测定法的试验概述、试验设备、样品处理、试验步骤和结果判定。本文件适用于不能确定熔点的黏性或糊状化学品的固体与液体形态鉴别。
本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。
本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。
本文件适用于以下情形：
——原子序数从16（S）到92（U）的元素；
——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之间的污染元素；
——采用VPD（气相分解）样品制备方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之间的污染元素（见3.4）。
本文件适用于电子探针显微分析（EPMA）中使用的单相标准样品（有证参考物质，CRMs），并给出了标准样品应用于平整抛光表面显微分析的使用指南。本文件不适用于有机和生物标准样品。
本文件规定了利用原子力显微术测量层状二硫化钼纳米片厚度的测量方法。
本文件适用于转移或生长在固体衬底表面的层状二硫化钼纳米片厚度的测量,测量范围从单层二硫化钼纳米片至厚度不大于100 nm，其他类似的纳米片层材料厚度测量也可参照此方法进行。
本文件描述了一种用于优化一般分析目的的飞行时间二次离子质谱（SIMS）仪器的质量校准准确度的方法。本文件仅适用于飞行时间仪器，但并不限于任何特定的仪器设计。本文件提供了对一些仪器参数优化的指导，这些参数能使用此程序进行优化，还提供了适用于校准质量标以获得最佳质量准确度的一般峰的类型。
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