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本标准规定了采用辉光放电质谱(GDMS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数)，检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。
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本标准规定了测定化工产品中砷的通用方法。
本标准中的二乙基二硫代氨基甲酸银光度法适用于砷含量在1 μg～20 μg范围内的溶液测定，原子荧光光度法适用于砷含量在0.005 μg～2.5 μg范围内的溶液测定。
本标准规定了利用辉光放电发射光谱测定金属氧化物膜厚度、单位面积质量和金属氧化物膜化学组成的方法。本方法适用于测定金属上厚度为1 nm～10 000 nm的氧化物膜，氧化物的金属元素包括铁、铬、镍、铜、钛、硅、钼、锌、镁、锰和铝中的一种或多种。其他可测元素还包括氧、碳、氮、氢、磷和硫。
本标准规定了辉光放电发射光谱法测定材料表层薄膜的厚度、质量（单位面积）和化学成分的方法。本标准仅限于辉光放电发射光谱法深度剖析定量化通用规程的描述，并不能直接应用于具有不同厚度和元素的待测个体材料的定量化。注： 任何一个针对测试材料表面分析的标准均需要明确表层厚度和分析元素，并提供实验室间共同实验结果以确认方法的有效性。
本标准规定了在电子激发绝缘样品的俄歇电子能谱测量中，描述荷电控制方法所需的最少信息，该信息也一并报告在分析结果中。参见附录A提供的现有的AES分析前或分析期间荷电控制的有用方法。表A.1对各种方法和途径进行了总结，并依方法的简单性排列。表A.1中的一些方法对大多数仪器是可用的，一部分则需要特殊的硬件，还有部分可能涉及样品的重装或变动。
本标准规定了分析者使用俄歇电子能谱(AES)分析试样后随即应报告信息的最低要求，包括原始记录和分析记录的信息。
本指导性技术文件给出了确定X射线光电子能谱中本底的指南。本指导性技术文件适用于固体表面X射线激发的光电子和俄歇电子能谱的本底确定。
本指导性技术文件规定了识别X射线或者电子激发的俄歇谱中的化学效应以及把它们用于化学表征的方法准则。
本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016 atoms/cm3～2.5×1021 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50 nm及以上。
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