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GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 现行 发布日期 :  2006-07-18 实施日期 :  2006-11-01

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达 104 Ω·cm 半导体单晶材料的测试。

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