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本文件描述了碳化硅单晶片的微管密度的测试方法，包括化学腐蚀法和偏振光法。
本文件适用于碳化硅单晶片微管密度的测试。
本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。
本文件适用于厚度为0.13 mm⁓1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。
本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。
本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。
本文件描述了精密电阻合金热电动势率的测试方法，包括原理、测试装置、试样及制备、测试环境、测试程序、数据处理、精密度和准确度以及测试报告。
本文件适用于在-65 ℃～250 ℃范围内，精密电阻合金热电动势率的测试。其他金属材料在此温度范围内的热电动势率的测试参照执行。
本文件描述了精密电阻合金电阻温度系数的测试方法，包括原理、测试装置、试样制备及预处理、测试环境条件、测试方法、数据处理、数值修约以及测试报告。
本文件适用于在-65 ℃⁓250 ℃温度范围内，对精密电阻合金电阻温度系数的测试。其他金属材料在此温度范围内的电阻温度系数的测试参照执行。
本文件描述了各类贵金属键合丝(以下简称“键合丝”)热影响区长度的扫描电镜测定方法。
本文件方法一适用于键合金丝热影响区长度的测定。
本文件方法二适用于直径不超过50 μm的纯金属、合金或复合类键合丝的热影响区长度测定。
本文件描述了用单筒同轴圆筒旋转法测定液态金属表观黏度的方法。
本文件适用于在室温至200 ℃范围内进行液态金属表观黏度的测定。温度范围根据所使用的仪器进行扩展。
本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。
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