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本标准规定了金相法测定钛合金β转变温度的原理、试样、仪器设备、试验步骤、试验结果的判定、和试验报告。
本标准适用于采用金相法测定α型、α-β型和亚稳定β型钛合金的β转变温度。
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本标准规定了用爱泼斯坦方圈测量电工钢带（片）中频交流磁性能的一般原理、比总损耗、磁极化强度峰值、磁场强度有效值、磁场强度峰值和比视在功率的测定方法、测量装置、测量步骤和检测报告。本标准适用于晶粒取向和晶粒无取向电工钢带（片）在频率范围为400 Hz~10 kHz的交流磁性测量，适用于从任何等级的电工钢带（片）上取得的试验试样。测量前对试样退磁，测量在环境温度（23±5）℃进行。注： 本标准中“磁极化强度”的定义参照GB/T 9637，电工钢系列的一些标准采用“磁通密度”的定义。
本标准规定了取向和无取向电工钢带（片）的电阻率、密度和叠装系数的测定方法。这些物理参数是材料物理性能的表征。其中，密度是测定磁极化强度、电阻率和叠装系数时需要的条件参数。
由于这些性能参数与温度相关，除非另有规定，测量将在室温23 ℃±5 ℃进行。
本标准规定了难熔金属及其化合物粉末在粒度测定之前的分散处理规则。
本标准适用于钨、钼、铼、钽及碳化钨等难熔金属及化合物粉末的分散处理，其他的金属粉末（或碳化物、氮化物）也可参照本标准进行分散处理。
本标准规定了金属材料电阻率测量的术语和定义、试验设备、试样、试验、试验结果及计算、试验记录和报告。
本标准适用于测量金属材料的体积电阻率、质量电阻率、电导率及直流电阻比率等电性能的测量。
本标准所提供的方法为测定标准条件下电阻率在0.01 Ω·mm2/m～2.0 Ω·mm2/m范围内的仲裁测量方法和常规测量方法。
本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。
本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果；对于导电类型不均匀的材料，可在其表面上测出不同导电类型区域。
本标准不适用于分层结构材料（如外延片）导电类型的测试。
本标准规定了锂离子电池正极材料镍钴锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。本标准适用于锂离子电池正极材料镍钴锰酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试。
本标准规定了锂离子电池正极材料镍钴锰酸锂的放电平台容量比率及循环寿命测试方法。本标准适用于锂离子电池正极材料镍钴锰酸锂放电平台容量比率及循环寿命的测试。
本标准规定了采用激光法非接触式测量方形硅晶锭尺寸的方法，包括对角线、倒角、垂直度、边长和长度。本标准适用于半导体及光伏领域硅单晶棒或多晶硅铸锭切割成的方形硅晶锭尺寸的测量。
本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。
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