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本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式，其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。
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本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。
本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录A）相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
本标准规定了空间红外探测器用碲镉汞（HgCdTe）外延材料性能参数的测试方法和测试设备要求。
本标准适用于空间红外探测器用碲镉汞外延材料的参数测试，其他用途的碲镉汞外延材料参数的测试可参照使用。
本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序，并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。
本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量；也可用于其他类型的平坦晶片材料，但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。
本标准不适用于带宽空间波长≤10 nm的测量仪器。
本标准规定了直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试。
本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法，适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试，且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。
[STFZ]2.1[ST]〓本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷，或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝，或二者兼有)及碳杂质。
[STFZ]2.2[ST]〓本标准中适用的杂质浓度测定范围：施主和受主杂质为（0.002～100）ppba（十亿分之一原子比），碳杂质为（0.02～15）ppma（百万分之一原子比）。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。
[STFZ]2.3[ST]〓 本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23 ℃电阻率小于0.02 Ω·cm和外延层在23 ℃电阻率大于0.1 Ω·cm且外延层厚度大于2 μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5 μm～2 μm之间的n型和p型外延层厚度。
1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。
1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8 mm～300 mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。
1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI 24《硅单晶优质抛光片规范》。
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