This standard specifies the requirements, test methods, inspection rules, marking, packaging, transportation, storage, quality certificate and content of ordering (or contract) of casting multi-crystalline silicon bricks (hereinafter referred to as silicon bricks) of photovoltaic solar cells.
This standard is applicable to quasi-square multi-crystalline silicon bricks (including quasi-square monocrystalline silicon bricks) cut from silicon ingots prepared by casting techniques.
本标准规定了太阳能电池用多晶硅片(以下简称硅片)的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。
本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片)。
This standard specifies the requirements, test methods, inspection rules, marking, packaging, transportation, storage, quality certificate and content of ordering (or contract) of multi-crystalline silicon wafers (hereinafter referred to as silicon wafers) for photovoltaic solar cells.
This standard is applicable to casting multi-crystalline silicon wafers (including quasi-monocrystalline silicon wafers) for solar cells.
本标准规定了太阳能电池用硅单晶(简称硅单晶)的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片后进一步制作太阳能电池。
本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等,或作为硅外延片的衬底。
本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等,或进一步加工成抛光片。
本标准规定了太阳能电池用硅单晶片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片,产品用于制作太阳能电池的衬底片。
本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以硅烷气为原料,采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。
本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。
本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。