GB/T 45716-2025 半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验标准列表

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GB/T 45716-2025 半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验即将实施 发布日期 : 1970-01-01 实施日期 : 2025-09-01

本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

电子版：31元 / 折扣价： 27 元纸质版：暂无

GB/T 45719-2025 半导体器件　金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验即将实施 发布日期 : 1970-01-01 实施日期 : 2025-09-01

本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

电子版：31元 / 折扣价： 27 元纸质版：暂无

GB/T 45721.1-2025 半导体器件　应力迁移试验　第1部分：铜应力迁移试验即将实施 发布日期 : 1970-01-01 实施日期 : 2025-09-01

本文件规定了一种恒温老化方法，该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行，其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下，该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长，此方法不适用于产品批次性交付检查。
双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬，例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此，对于单个通孔接触下面宽线的结构，通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时，将会瞬间导致开路失效。

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GB/T 45722-2025 半导体器件　恒流电迁移试验即将实施 发布日期 : 1970-01-01 实施日期 : 2025-09-01

本文件描述了金属互连线、连接通孔链和接触孔链的常规恒流电迁移试验方法。

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GB/T 15852.2-2012 信息技术　安全技术　消息鉴别码　第2部分：采用专用杂凑函数的机制被代替 发布日期 : 1970-01-01 实施日期 : 2013-06-01

GB/T 15852的本部分规定了三种采用专用杂凑函数的消息鉴别码算法。这些消息鉴别码算法可用作数据完整性检验，检验数据是否被非授权地改变。同样这些消息鉴别码算法也可用作消息鉴别，保证消息源的合法性。数据完整性和消息鉴别的强度依赖于密钥的长度及其保密性、杂凑函数的算法强度及其输出长度、消息鉴别码的长度和具体的消息鉴别码算法。
本部分适用于任何安全体系结构、进程或应用的安全服务。

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