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本文件描述了具有线性光电响应特性的线阵、面阵和时间延迟积分（TDI)CMOS图像传感器（以下简称器件）参数及其测试方法。本文件适用于具有线性光电响应特性的线阵、面阵和TDI器件参数测试。
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本文件界定了半导体器件长期贮存的相关术语、定义和原理。长期贮存作为一种延缓淘汰的策略，是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。
本文件规定了焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法。
本文件规定的测量方法，在符合下述约定条件下，为用户提供尺寸保证：
a) 测量一般采用手工或自动方式进行；
b) 如果某个尺寸不易直接测量，则最佳的替代测量方法将被确定为首选方法。
本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1 μm～1 mm的微结构进行黏结强度测试。MEMS 器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面，在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度，此外，界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化，极大地影响黏结强度。本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法，以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛，用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广，本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。
本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
本标准规定了半导体集成电路的封装形式及外形尺寸。
本标准适用于半导体集成电路的封装设计和成品尺寸检验。
本标准不适用于混合集成电路。
GB/T 38762的本部分建立了线性尺寸的缺省规范操作集（见GB/T 24637.2），并规定了面向“圆柱面”“球面”“圆环面”1）“两相对平行面”以及“两相对平行直线”等尺寸要素类型的线性尺寸若干特定规范操作集。此外，本部分还规定了线性尺寸的规范修饰符及其图样表达。
GB/T 38762的本部分说明了应用尺寸规范控制线性、角度尺寸之外的尺寸时所引起的不确定度，以及用几何规范控制上述尺寸的益处。
尺寸公差可以用±公差或几何规范来标注。
除线性尺寸外的尺寸使用±公差产生的不确定性（例如，GB/T 1804和GB/T 6414中所提及的独立公差和一般公差），在附录A中给出解释。
注1： 本部分中的图例是简化的，仅是对文本的内容的解释，并不反映实际使用情况。因此，图例仅为相关准则的简化标注。
GB/T 38762的本部分建立了角度尺寸的缺省规范操作集，并为下列角度尺寸要素定义了一系列特定规范操作集：圆锥（截断如圆台或未截断）、楔形（截断或未截断）、两条相对直线（由垂直于楔形/截断楔形两平面相交直线的平面与楔形／截断楔形相交得到，由包含圆锥/圆台轴线的平面与圆锥/圆台相交得到），见图1和图2。
本部分还规定了上述角度尺寸的规范修饰符和图样标注。
本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理。本标准适用于厚度在50 nm到数微米之间且长度和厚度的比值大于300的样品，也可用于MEMS产品带状薄膜结构的质量监控。
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