本标准规定了MEMS结构共振疲劳试验的试验方法,包括设备、试验环境、样品要求、试验条件和试验步骤。本标准适用于MEMS结构的共振疲劳试验。
本标准规定了MEMS器件可靠性综合环境的试验方法和失效结果处理。本标准适用于需要进行可靠性试验的MEMS器件。
GB/T 15879的本部分规定了半导体器件的封装外形分类和命名方法,以及为半导体器件封装生成通用描述性命名的系统方法。
本描述性命名方法提供了一种有用的交流工具,但并不确保相同编码的封装具有互换性。
《半导体器件的机械标准化》的本部分规定了采用载带自动焊(TAB)作为结构和互连主要构成的集成电路封装推荐值。本部分适用于制造厂供给用户的成品单元,对集成电路(IC)到载带的互连(内引线焊接)没有明确要求。
本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器、字节宽同步动态存储器、字宽同步动态存储器的引出端排列。
本标准规定了焊柱阵列(CGA)的试验方法。
本标准适用于采用焊柱阵列(CGA)封装形式的集成电路(以下简称器件),焊柱包括高铅焊柱、微线圈焊柱、铜带缠绕型焊柱、基板增强型焊柱、镀铜焊柱等。
本标准规定了MEMS电场传感器(以下简称“传感器”)的原材料、结构组成、技术要求、试验项目和方法、检验规则、包装、存储和运输。
本标准适用于MEMS电场传感器的研制、生产和采购。其他类型的电场传感器可参照使用。
本标准规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。本标准适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。