17704692435
本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。
电子版：31元
/ 折扣价：
27 元
本标准规定了MEMS压阻式压力敏感芯片（简称压力敏感芯片)的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验内容和方法。本标准适用于闭环和开环MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验。
本标准规定了MEMS高g值加速度传感器的电气性能和基本性能的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验项目及方法。本标准适用于量程在1×104g～2×105g范围的MEMS高g值加速度传感器（以下简称加速度传感器）性能试验。
本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。
本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。
本标准规定了采用体硅压阻工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。
本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于背腔腐蚀和硅玻璃键合的体硅压阻加工工艺的加工和质量检验。
本标准规定了采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质量检验。
本标准描述了用半导体制造的微机电系统（MEMS）的总规范，规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程，给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件［如传感器、射频MEMS，但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统（MicroTAS）和微能源MEMS］。
本标准规定了微结构加工时，光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。
本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积（PVD）、离子注入、反应离子刻蚀（RIE）、氢氧化钾（KOH）腐蚀、硅玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。
本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。
对不起，暂未有相关搜索结果！
