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GB/T 11446的本部分规定了电子级水中微粒的仪器测定方法。
本部分适用于电子级水中微粒的连续式或单次检测计数，测定的微粒粒径不小于0.05 μm，微粒的浓度范围为0~10 000个/mL。
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本标准规定了用于先进集成电路光刻工艺综合评估的标准测试图形单元的形状、一般尺寸，以及推荐的布局和设计规则，这些标准测试图形包括可供光学显微镜和扫描电子显微镜用的各种图形单元。
本标准适用集成电路的工艺、常规掩模版、光致抗蚀剂和光刻机的特征和能力作出评价及交替移相掩模版相位测量，适用于g线、i线、KrF、ArF等波长的光刻设备及相应的光刻工艺。
本标准规定了印制板用光成像耐电镀抗蚀剂的术语和定义、性能、试验方法、检验规则和包装。
本标准适用于印制板制造用的光成像耐电镀抗蚀剂、光成像抗电镀剂、光成像抗酸性蚀刻剂和光成像抗碱性蚀刻剂。
本标准规定了印制板用铜箔外观、尺寸、物理性能、工艺性能及其他性能的试验方法。
本标准适用于刚性及挠性印制板用铜箔。
本标准规定了光伏组件封装用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA）胶膜（以下简称EVA胶膜）的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。
本标准适用于以乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA）为主要原料，添加各种助剂，经熔融加工成型，用于地面光伏组件封装的胶膜。
本标准规定了厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的生产和采购,采用厚膜工艺的片式元件用氧化铝陶瓷基片（以下简称基片）也可参照使用。
本标准规定了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片（以下简称“基片”）的生产和采购,采用薄膜工艺的片式元件用氧化铝陶瓷基片也可参照使用。
本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）测定硅外延用三氯氢硅（SiHCl3）中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等痕量元素含量的方法。
本标准适用于硅外延用三氯氢硅（SiHCl3）中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等含量的测定。各元素测定范围见表1。
本标准规定了电子元器件用酚醛包封料（以下简称包封料）的分类、技术要求、检验规则、检验方法、包装、标志、贮存及运输等要求。
本标准适用于陶瓷电容器、压电陶瓷元件、热敏电阻器、厚膜电路等电子元器件湿法包封用酚醛包封料。
本标准规定了电子元器件用环氧粉末包封料（以下简称包封料）的分类、技术要求、检验规则、检验方法、包装、标志、运输及贮存要求。
本标准适用于陶瓷电容器、压敏电阻器、薄膜电容器、电阻网络、热敏电阻器等电子元器件流化床包封用环氧粉末包封料。
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