本标准规定了平板显示器用偏光膜表面硬度的测试方法。
本标准适用于平板显示器偏光膜表面硬度的测试。

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本标准规定了平板显示器偏光膜外观(点缺陷、线缺陷、尺寸、厚度、翘曲度)、光学性能(单体透过率、平行透过率、正交透过率、单波长透过率、紫外隔离性能、偏振度、二色性比、色调、雾度)、粘结性能、耐候性能和剥离力的试验方法。
本标准适用于平板显示器用偏光膜。

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GB/T 11446的本部分规定了电子级水的级别、技术指标要求、试验方法和检验规则。
本部分适用于电子和半导体工业用高纯清洗用水。

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GB/T 11446的本部分规定了电子级水中细菌总数(活菌)的滤膜培养测试方法。
本部分适用于EW-Ⅰ～EW-Ⅳ级电子级水中细菌总数的测定。

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GB/T 11446的本部分规定了电子级水的采样、贮存与运输及报告的格式。
本部分适用于EW-Ⅰ～EW-Ⅳ级电子级水。

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GB/T 11446的本部分规定了电子级水的电阻率的测试方法。
本部分适用于电子级水电阻率测试。

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GB/T 11446的本部分规定了无火焰（或火焰）原子吸收分光光度计测定电子级水中痕量金属铜、锌、镍、铁、铅、钠和钾的测试方法。也可使用灵敏度相当的其他仪器如电感耦合等离子体/质谱仪（或电感耦合等离子体发射光谱仪）测量。
无火焰原子吸收分光光度适用于EW-Ⅰ～EW-Ⅲ级电子级水中痕量金属的测定。方法的检出限（质量分数）应在1×10-9以下。
火焰原子吸收分光光度法适用于EW-Ⅳ电子级水中痕量金属的测定。

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GB/T 11446的本部分规定了电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法。
本部分适用于电子级水中二氧化硅的测定，其中检出限为1 μg/L。

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GB/T 11446的本部分规定了电子级水中痕量氟离子（F-）、氯离子(Cl-)、亚硝酸根离子(NO-2)、溴离子(Br-)、硝酸根离子(NO-3)、磷酸根离子(PO3-4)、硫酸根离子(SO2-4)的离子色谱测试方法。
本部分适用于电子级水中痕量氟离子、氯离子、亚硝酸根离子、溴离子、硝酸根离子、磷酸根离子、硫酸根离子的测定，其中检出限依次为0.7 μg/L、0.8μg/ L、1 μg/L、1 μg/L、1 μg/L、1 μg/L 和 1 μg/L。

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GB/T 11446的本部分规定了电子级水中总有机碳的测试方法。
本部分适用于电子级水中总有机碳的测定。

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