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本文件描述了应用透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜（TEM/STEM)技术测定金属材料中纳米级第二相颗粒数密度的方法。
本文件适用于测定金属材料中弥散分布、粒径在几纳米至几十纳米范围的第二相颗粒的数密度。被测颗粒的平均尺寸宜在透射电镜试样厚度的约1/3以下，且试样中的颗粒在透射电镜图像上没有互相重叠或很少重叠。颗粒尺寸不在这个范围的试样可参照执行，其他晶体材料可参照执行。
本方法不适于测定聚集成团的第二相颗粒的数密度。
注1:可测定的最小颗粒尺寸取决于所用TEM/STEM设备的分辨率和采用的实验技术。
注2:待测定的第二相颗粒尺寸通常在5 nm~40 nm范围。
注3:TEM图像上若出现第二相颗粒重叠的情况，将增大颗粒计数的不确定度。
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本文件规定了用透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜(TEM/STEM)测定集成电路芯片中功能薄膜层厚度的方法。本文件适用于测定几个纳米以上厚度的集成电路芯片中功能薄膜层。
本文件描述了用透射电子显微术测定线状晶体表观生长方向的方法。
本文件适用于通过各种方法制备的所有种类的线状晶体材料，也适用于测定在钢、合金和其他材料中析出的类似于棒状或多边形第二相颗粒的一个轴的方向。受透射电子显微镜（TEM)的加速电压和样品自身等条件的制约，本文件适用于直径（或厚度或宽度)为几十纳米到一百纳米左右的晶体材料。本文件不适用于测定折叠、扭曲、旋转状态的线状晶体。
注： 在本文件中，线状晶体、带状晶体、针状第二相颗粒等均属于广义上的线状晶体。
本文件规定了用层状材料截面像所记录的两种不同材料之间平均界面位置的测定方法。本文件适用于透射电子显微镜（TEM）或扫描透射电子显微镜（STEM）所记录的层状材料截面像和X射线能谱仪（EDS）或者电子能量损失谱仪（EELS）所记录的截面元素面分布图。也适用于由数码相机、电脑存储器和成像板图像传感器所采集的数字像以及胶片记录的模拟像经扫描仪转换的数字像。本文件不适用于测定多层模拟法（MSS）获得的界面位置。〓〓
本文件描述了利用透射电子显微镜图像处理和分析技术进行纳米颗粒在多相体系中分散的粒径测量方法。本文件适用于固相多相体系中纳米颗粒的粒径测量和粒径分布。本文件也适用于在样品制备满足透射电子显微镜观察要求时的胶体和生物组织中纳米颗粒粒径测量。
本文件规定了电子探针测量硫化物矿物成分的仪器设备、试样制备、标样、分析测试条件的选择、谱线重叠修正、分析步骤、结果处理和检测报告。本文件适用于在电子束轰击下稳定的硫化物矿物以及砷化物、锑化物、铋化物、碲化物、硒化物等矿物的电子探针定量分析。本文件适用于以电子探针进行的定量分析，也适用于安装了波谱仪的扫描电子显微镜进行的定量分析。
本标准规定了用电子探针测定碳钢和低合金钢（铁质量分数大于95%）中硅、锰含量的校准曲线法。本标准适用于电子探针波谱仪，不适用于能谱仪。带波谱仪的扫描电镜可以参照使用。
本标准规定了采用电子显微镜高角环形暗场成像技术对贵金属纳米颗粒成像的方法。本标准适用于单一贵金属纳米颗粒和复合材料中贵金属纳米颗粒的成像。
This standard specifies a method of imaging noble metal nanoparticles using high angle annular dark field imaging technique of electron microscope.
This standard is applicable to imaging of noble metal nanoparticles with single-type of element and noble metal nanoparticles in composite materials.
本标准规定了利用SEM和EDX分析单壁碳纳米管粗产品及纯化后粉末或薄膜产品的形态、元素组成、催化剂和其他无机杂质的测试方法。
本标准适用于单壁碳纳米管的特性分析，亦可用于多壁碳纳米管（multiwall carbon nanotubes，简称MWCNTs）的特性分析。
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