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本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10-3 Ω·cm~3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
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