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本标准规定了利用高分辨X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法。
本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga, In, Al)N单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可参考本标准。
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本标准规定了ⅢⅤ族氮化物LED外延片内量子效率的测试方法。
本标准适用于基于ⅢⅤ族氮化物的量子阱LED内量子效率的测试。
本标准规定了蓝宝石切割片、研磨片、抛光片（以下简称蓝宝石衬底片)翘曲度的测试方法。
本标准适用于直径50.8 mm～304.8 mm，厚度为不小于200 μm的蓝宝石衬底片翘曲度的测试。
本标准规定了蓝宝石切割片、研磨片、抛光片（以下简称蓝宝石衬底片）弯曲度的测试方法。
本标准适用于直径50.8 mm～304.8 mm，厚度为不小于200 μm的蓝宝石衬底片弯曲度的测试。
本标准规定了制备氮化镓薄膜外延片及其他用途的蓝宝石单晶切割片、研磨片、抛光片(简称衬底片)厚度和厚度变化是否满足标准限度要求的测试方法。
本标准适用于蓝宝石衬底片厚度及厚度变化的测试。
本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）翘曲度和波纹度的测试方法。
本标准适用于硅片翘曲度和波纹度的测试。
本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。
本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品，则需相关各方协商同意。
本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。
本标准适用于符合GB/T 26071、GB/T 29055规定尺寸的硅片的厚度及总厚度变化的测量，分立式测量方法适用于接触式及非接触式测量,扫描式测量方法只适用于非接触式测量。在测量仪器准许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度及总厚度变化的测量。
本标准规定了一种块状高温超导体俘获磁场（俘获磁通密度）的测量方法。
本标准适用于具有规则形状，诸如圆片、圆柱、矩形块和正六棱柱的大晶粒块状氧化物超导体在4.2 K~90 K温度范围内的俘获磁通密度评估。基于标准化的目的，只报告液氮温度下的俘获磁通密度。
本标准规定了在低频磁场中测量磁性材料磁屏蔽效能的方法。
本标准适用于涉及的材料包括：金属磁屏蔽材料、复合磁屏蔽材料和各类涂层屏蔽材料。
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