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本文件规定了采用光学反射法测试硅片表面二氧化硅薄膜、多晶硅薄膜厚度的方法。本文件适用于测试硅片表面生长的二氧化硅薄膜和多晶硅薄膜的厚度，也适用于所有光滑的、透明或半透明的、低吸收系数的薄膜厚度的测试，如非晶硅、氮化硅、类金刚石镀膜、光刻胶等表面薄膜。测试范围为15 nm～105 nm。
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本文件规定了镁合金牺牲阳极试样在饱和硫酸钙和氢氧化镁介质中工作时的电化学性能试验方法。本文件适用于以饱和硫酸钙和氢氧化镁试验电解液模拟埋地阳极填充环境下镁合金牺牲阳极(以下简称埋地阳极)电化学性能的测试。淡水中使用的热水器用镁合金牺牲阳极(以下简称热水器阳极)电化学性能的测试可参照使用。
本文件描述了Nb-Ti与Nb3Sn复合超导体扭距测量的原理、化学药品、仪器设备、样品制备、测量步骤、试验数据处理、测量不确定度和测试报告。
本文件适用于直径在0.2 mm~2 mm(或与之截面积等同的矩形)，超导丝直径在6 μm~200 μm，扭距在5 mm~50 mm，基体为铜的一体化结构NbTi与Nb3Sn多丝复合超导体扭距的测量。
本文件不适用于表面有镀层或表面覆盖不可被硝酸溶蚀镀层的超导体。
注1： 使用本方法测量横截面形状、面积、超导丝直径和扭距超出本范围的复合超导体，不确定度将增大。
注2： 经过适当修正，本文件给出的测量方法适用于其他类似结构的复合超导体。
本文件规定了铝合金力学熔点测试方法。本文件适用于铝合金板材或型材的焊接、热处理、铸造、锻压等热加工过程的力学熔点测试及其参数优化。
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～8×103 Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～1.5×104 Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1×10-3 Ω·cm～1×104 Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。
本标准规定了纳米材料电阻率的接触式测量方法，包括测量原理、仪器设备、测量条件、测量步骤、影响因素等。
本标准中静态四探针法（A法）适用于纳米薄膜、纳米浆料和纳米粉体的电阻率测量；动态四探针法（B法）、动态四线两电极法（C法）适用于纳米粉体电阻率的测量。
本文件规定了电容电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容电压法和无接触电容电压法。
本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
本文件描述了运用直流或低扫场速率磁强计方法测量Cu/Nb-Ti多丝复合材料磁滞损耗的相关事宜。本文件规定了Cu/Nb-Ti多丝复合导体中磁滞损耗的一种测量方法。测量在温度为4.2 K或接近于4.2 K的圆形截面超导线上进行。直流或低扫场速率磁强计法使用的是超导量子干涉器件（SQUID）磁强计（见附录A）或振动样品磁强计（VSM）。如果测量中发现用不同的（但均校准过的）磁强计所得的结果存在差异，则以外推至零扫场速率下的VSM测量结果为准。将本测量方法推广到一般超导体的规范详见附录B。
本文件适用于非晶合金带材在频率不高于400 Hz下的交流磁性能测量。本文件给出了用单片测试仪测量非晶合金带材磁性能的基本原理和技术要求。本文件规定的单片测试仪适用于在规定的频率和磁极化强度峰值且感应电压为正弦状态下，对各种类型的非晶合金带材制成的试样的交流磁性能进行测量。测量应在环境温度（23±5)℃下进行。〓〓
本文件规定了振实密度的测定方法，即粉末在规定条件下在容器中被振实后的密度。
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