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本标准规定了应用扫描表面检查系统对抛光片、外延片等镜面晶片表面的局部光散射体进行测试，对局部光散射体与延伸光散射体、散射光与反射光进行区分、识别和测试的方法。针对130 nm～11 nm线宽工艺用硅片，本标准提供了扫描表面检查系统的设置。
本标准适用于使用扫描表面检查系统对硅抛光片和外延片的表面局部光散射体进行检测、计数及分类，也适用于对硅抛光片和外延片表面的划伤、晶体原生凹坑进行检测、计数及分类，对硅抛光片和外延片表面的桔皮、波纹、雾以及外延片的棱锥、乳突等缺陷进行观测和识别。本标准同样适用于锗抛光片、化合物抛光片等镜面晶片表面局部光散射体的测试。
注：本标准中将硅、锗、砷化镓材料的抛光片和外延片及其他材料的镜面抛光片、外延片等统称为晶片。
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本标准规定了烧结金属材料和硬质合金电阻率的测定。
本标准规定了利用拉曼光谱测试N型氮化镓衬底片载流子浓度的方法。本标准适用于在蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓材料上生长的N型氮化镓衬底片载流子浓度的测试。测试范围：1×1017 cm-3～1×1020 cm-3。
本标准规定了金属粉末及其化合物粉末比表面积和粒度测定方法--空气透过法。本标准适用于金属粉末及其化合物粉末比表面积和粒度的测定。本标准不适用于纤维状、片状粉末的测定，但供需双方协商同意时，也可采用本标准。本标准不适用于不同材质的混合粉末及含有粘合剂或润滑粉的粉末比表面积和粒度的测定。
本标准规定了在微波频率下利用双谐振器法测试超导体表面电阻的方法，测试目标是在谐振频率下RS随温度的变化。改进型镜像介质谐振器法，作为另外一种可选用的方法，在附录B中给出。本标准适用于表面电阻的测试范围如下：--频率：8 GHz<f<30 GHz；--测试分辨率：0.01 mΩ（f = 10 GHz）。测试报告给出在测试频率下的表面电阻值，并且给出利用RS ∝ f 2的关系折合到10 GHz的值。
本标准测试方法适用于具有一体化结构，呈圆、扁平或方形结构的单芯或多芯银和/或银合金包套Bi2212 与Bi2223氧化物超导体短直样品直流临界电流的测量。本标准测试方法适用于临界电流小于500 A、n值大于5的超导体。测量可在有或无外加磁场的条件下进行。在磁场环境中测试时，磁场应垂直于样品的长度方向。在带状样品的测试中，磁场可垂直或平行于超导体较宽的一面（如果是方形，任何一面均可）。测试过程中，被测样品浸泡在液氮或液氦中。本标准还给出了在通常测试中本实验方法所允许的偏差以及其他具体限定。
本标准规定了建筑用铝合金隔热型材传热系数测定的术语和定义、方法原理、试验设备与装置、试样、测定和试验报告。本标准适用于建筑用铝合金隔热型材传热系数的测定。
本标准规定了直接法氧化锌白度的检验方法。本标准适用于直接法氧化锌白度的检验。
本标准规定了蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线的测量方法。本标准适用于蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线的测量。
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