本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前,需经测试双方协商达成一致。
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
本标准适用于位错密度在1×103个/cm2~5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
本标准规定了工业用的电阻测定复合超导体临界温度的测量方法。
本标准适用于一体化结构的圆形、扁平或方形截面的单芯或多芯复合超导体,包括Cu/NbTi、Cu/CuNi/NbTi和CuNi/NbTi复合超导体,Cu/Nb3Sn和Cu/Nb3Al复合超导体,以及金属包套的MgB2复合超导体,金属为稳定体的Bi系氧化物超导体,Y系或稀土金属基涂层导体。
本标准规定了电子装联用高质量内部互连用助焊剂(简称助焊剂)的分类、技术要求、试验方法、检测规则和产品的标识、包装、运输、储存。
本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用助焊剂。
本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡膏(简称焊锡膏)的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于表面组装元器件和电子电路互连时软钎焊所使用的焊锡膏。
本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料,包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。
本标准规定了NbTi/Cu复合超导线室温拉伸试验方法。
本试验方法用以测量弹性模量,规定塑性延伸强度(由复合体中Cu的屈服而产生的)和抗拉强度。
断后伸长率和由组分中NbTi屈服定义的第二类规定塑性延伸强度仅作参考(见A.1和A.2)。
本标准适用于测试横截面积在0.15 mm2~2 mm2,铜超比在1.0~8.0之间的圆形或矩形截面的无绝缘覆层试样。
本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。
本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。