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本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅(以下简称颗粒硅)。
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本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。
本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p<100>直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm～450 mm的硅电极及硅环。
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 nm～22 nm的集成电路。
本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定光伏硅材料中氧含量的方法。
本文件适用于生产多晶硅的原料硅粉、工业硅、颗粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的测定，测定范围为氧的质量分数0.0010%～0.40%。其他生产光伏组件的各类晶体硅材料参照使用。
本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定颗粒硅中氢含量的方法。
本文件适用于流化床法颗粒硅中氢含量的测定，其他硅材料参照使用。
注： 本文件测定氢含量的范围取决于所用氢分析仪的量程，最大测定范围为氢量0.000 08 mg～2.5 mg。以质量分数（%）表示的氢分析仪的测定范围因称取样品量的不同而不同。例如，1 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 008%～0.25%；0.15 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 06%～1.66%。
本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。
本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。
本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容。
本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。
本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块（以下简称硅块）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。
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