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- GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

【国家标准】 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
本网站 发布时间:
2022-10-08
- GB/T 41325-2022
- 现行
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适用范围:
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm~100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm~100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
标准号:
GB/T 41325-2022
标准名称:
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
英文名称:
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit标准状态:
现行-
发布日期:
2022-03-09 -
实施日期:
2022-10-01 出版语种:
中文简体
起草人:
孙燕 宁永铎 钟耕杭 李洋 徐新华 骆红 杨素心 李素青 张海英 由佰玲 潘金平起草单位:
有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
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