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本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1 μs～10 000 μs、电阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100 μs～200 μs时，两种测试方法均适用。
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本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/□～3.0×103 Ω/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。
本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。
本文件描述了采用光反射法以20°、60°或85°几何条件测试硅片表面光泽度的方法。
本文件适用于硅腐蚀片、抛光片、外延片表面光泽度的测试，不适用于表面有图形的硅片的测试。
本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。
本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。
本文件描述了采用栅格法评定铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀结果的方法。
本文件适用于铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀试验样品和服役样品的腐蚀结果的等级评定。
本文件描述了采用图表法评定铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀结果的方法。
本文件适用于铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀试验样品和服役样品的腐蚀结果等级评定。
本文件描述了Bi-2223氧化物超导体短直样品室温双弯曲后临界电流的测试方法。样品为具有扁平或方形结构的单芯或多芯银和/或银包套超导线材。超导线材可以采用铜合金、不锈钢或镍合金带叠层封装。
本文件适用于临界电流小于300 A、n-值大于5的超导体。室温双弯曲后临界电流的测试在无外加磁场的条件下进行，样品浸泡在开放液氮中。
本文件描述了锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试方法。
本文件适用于采用卷绕法进行锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试。
本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。
本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm～1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。
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