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本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。
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本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。
本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。
本文件适用于电阻率大于1 Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。
本文件描述了锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试，其他锂离子电池正极材料首次放电比容量及首次充放电效率的测试可参考本文件。
本文件规定了锂离子电池正极材料高温电化学性能测试方法，包括高温存储测试和高温循环测试。本文件适用于锂离子电池用钴酸锂、镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂、富锂锰基等正极材料高温电化学性能测试。
本文件描述了锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。
本文件适用于锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率的测试，测试方法包括扣式半电池法和扣式全电池法。
本文件规定了测量压制金属粉末层的空气透过性和孔隙率，并得到外比表面积值的方法。在稳态流动条件下，采用层流空气在接近大气压的压力下确定粉末层的透过性。本文件不包括通过恒定体积法测量透过性的方法。本文件未指定特定的商业设备和相应的测试程序。但是，为方便用户起见，本文件列出了资料性附录（见附录A），旨在提供有关三种特定方法的一些实用信息。如果粉末有团聚现象，测量的外比表面积结果将受样品团聚程度的影响。如果相关方许可，可对团聚粉末进行分散处理（见附录B）。本文件适用于所有金属粉末，包括粒径不大于1 000 μm的硬质合金粉末，但通常用于粒径为0.2 μm～75 μm的颗粒。如相关方许可，本方法也可用于轴对称性差（例如薄片状和纤维状）的颗粒。本文件不适用于不同粉末的混合物和含有粘接剂或润滑剂的粉末。
本文件描述了利用X射线衍射仪测试半导体材料双晶摇摆曲线半高宽，进而评价半导体单晶晶体质量的方法。本文件适用于碳化硅、金刚石、氧化镓等单晶材料晶体质量的测试，硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料晶体质量的测试也可参照本文件执行。
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018 cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。
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