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- GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法

【国家标准】 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
本网站 发布时间:
2024-06-03
- GB/T 43313-2023
- 现行
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适用范围:
本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm,厚度范围为300 μm~1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm,厚度范围为300 μm~1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。
标准号:
GB/T 43313-2023
标准名称:
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
英文名称:
Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics标准状态:
现行-
发布日期:
2023-11-27 -
实施日期:
2024-06-01 出版语种:
中文简体
起草人:
姚康 刘立娜 何烜坤 李素青 马春喜 高飞 张红岩 陆敏 郑红军 房玉龙 芦伟立 丁雄杰 刘薇 李嘉炜 晏阳 钮应喜 杨玉聪 黄树福起草单位:
中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国科学院半导体研究所、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、浙江东尼电子股份有限公司归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
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