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【国家标准】 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
本网站 发布时间:
2024-03-01
- GB/T 42902-2023
- 现行
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标准号:
GB/T 42902-2023
标准名称:
碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
英文名称:
Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method标准状态:
现行-
发布日期:
2023-08-06 -
实施日期:
2024-03-01 出版语种:
中文简体
起草人:
钮应喜 袁松 张会娟 刘敏 仇光寅 李京波 彭铁坤 袁肇耿 杨龙 闫果果起草单位:
安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
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