- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- H21 >>
- GB/T 32280-2022 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法

【国家标准】 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法
本网站 发布时间:
2022-10-08
- GB/T 32280-2022
- 现行
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>

文前页下载
适用范围:
本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。
本文件适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的洁净、干燥的硅片,包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片,也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。
本文件适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的洁净、干燥的硅片,包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片,也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。
标准号:
GB/T 32280-2022
标准名称:
硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法
英文名称:
Test method for warp and bow of silicon wafers—Automated non-contact scanning method标准状态:
现行-
发布日期:
2022-03-09 -
实施日期:
2022-10-01 出版语种:
中文简体
起草人:
孙燕 蔡丽艳 贺东江 李素青 王可胜 徐新华 张海英 王振国 潘金平 曹雁 楼春兰 张雪囡 皮坤林起草单位:
有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、合肥中南光电有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、浙江海纳半导体有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、开化县检验检测研究院、天津中环领先材料技术有限公司、义乌力迈新材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
- 推荐标准
- 国家标准计划
- GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
- GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
- GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法
- GB/T 23365-2023 钴酸锂电化学性能测试 首次放电比容量及首次充放电效率测试方法
- GB/T 43092-2023 锂离子电池正极材料电化学性能测试 高温性能测试方法
- GB/T 43093-2023 镍锰酸锂电化学性能测试 首次放电比容量及首次充放电效率测试方法
- GB/T 43096-2023 金属粉末 稳态流动条件下粉末层透过性试验测定外比表面积
- GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
- GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
- GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
- GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法
- GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
- GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
- GB/T 42789-2023 硅片表面光泽度的测试方法
- GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法